О лаборатории

В последнее время большое внимание уделяется развитию лазерных методов создания металлических покрытий и локальных элементов на различных диэлектрических и полупроводниковых поверхностях (Si, GaAs, SiO2, Si3N4, Al2O3 и т.д.). К таким методам относятся: лазерно-стимулированное осаждение из газовой фазы (LCVD), импульсное осаждение лазером (PLD), лазерно-индуцированное перемещение (LIFT), лазерно-индуцированное пиролитическое разложение твердых веществ (LPDS) и лазерно-индуцированное химическое осаждение из жидкой фазы - ЛОМР (LCLD).

Метод лазерно-индуцированного осаждения металла из раствора не требует сложного дорогостоящего оборудования (как LCVD), не сопровождается большим количеством токсичных отходов, что характерно для фотолитографии с использованием процесса травления. Для практических применений в электронике простота метода и эффективность использования материалов очень важны.

Метод лазерной металлизации диэлектриков активно развивается, в нескольких модификациях, различными научными группами. К настоящему времени достигнуты результаты по меднению широкого класса диэлектрических и полупроводниковых материалов: кварцевое стекло, кристаллический кремний, пористый кремний, алмаз, полиимид, полиэтилентерефталат.

Процесс автокаталитического осаждения металлов позволяет хорошо визуализировать изменение структуры диэлектрической поверхности под действием лазерного излучения, т.к. в процессе осаждения на нескольких активных центрах поверхности может быть осаждено 108-109 атомов металла, что соответствует наименьшему размеру металлических частиц, надежно разрешимых с помощью растрового электронного микроскопа на ранних стадиях осаждения.

Технология лазерного осаждения является наиболее перспективной, но ее внедрение сдерживается проблемой локализации реакции осаждения металла исключительно в области облучения лазерным пучком.



© Лаборатория лазерной химии, 2016